標題: [手機情報] Samsung 與美國晶片公司合作，有望切底改善 3nm 良率超越台積電 [打印本頁]

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作者: sun7005    時間: 2022-11-23 09:54 AM     標題: Samsung 與美國晶片公司合作，有望切底改善 3nm 良率超越台積電

曾經 Samsung 可是一大晶片巨頭，不僅市場份額大，而且口碑也一直不錯。不過如今卻沒落，最終不抵台積電。11 月19 日消息，韓媒 Naver 報導，Samsung 已經與美國的 Silicon Frontline Technology 公司合作，以便能夠提高其半導體晶片在生產過程中的良率，望重新贏得市場，並在 3nm 工藝上超越台積電。5 l2 c* B* a3 U; M
   
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2 S- k$ b- M  _! L0 g. P事實上，Samsung 電子先進製程良率非常低，自從 5nm 開始就一直存在問題，到 4nm 後問題更是嚴重，其中核心問題就是良率低，據傳 3nm 至今的良率甚至還不到 20%，導致量產進度陷入瓶頸。
: x+ X" E. H: ~/ n; e3 N0 Y7 ttvb now,tvbnow,bttvb因此 Samsung 希望能通過和 Silicon Frontline Technology 公司合作，幫助 Samsung 進行前端（front-end）工藝和晶片性能改進。TVBNOW 含有熱門話題，最新最快電視，軟體，遊戲，電影，動漫及日常生活及興趣交流等資訊。, Y/ m* F- P* R8 P0 P- v+ B8 f8 Z
據了解，這家美國公司提供晶片鑑定評估和 ESD（靜電放電）預防技術。 ESD 是造成半導體晶片缺陷的主要原因之一，是由製造過程中設備和金屬之間的摩擦造成的。TVBNOW 含有熱門話題，最新最快電視，軟體，遊戲，電影，動漫及日常生活及興趣交流等資訊。9 \; y# I6 k* v* _9 n* }4 a
據報導，Samsung 在晶片設計和生產過程中已經與 Silicon Frontline 公司合作了很長一段時間，並且也取得了令人滿意的結果。tvb now,tvbnow,bttvb$ Q  S! H! z. }* E! s
目前 Samsung 已經在晶片驗證過程中使用了該公司的最新技術，並且有望切底改善良率低的問題。

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