8月9日電／中國研究人員8日在美國《科學》雜誌上報告說，他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發明瞭一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件，可讓數據擦寫更容易、迅速，整個過程都可在低電壓條件下完成，為實現芯片低功耗運行創造了條件。 . Q" M: N! p: @9 u( H1 v% y5 \" [
9 ~4 D! N! }! H4 wtvb now,tvbnow,bttvb 研究負責人、復旦大學教授王鵬飛說：“我國集成電路產業主要依靠引進和吸收國外成熟的技術，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術。半浮柵晶體管作為一種新型的微電子基礎器件，它的成功研製將有助我國掌握集成電路的核心技術，從而在芯片設計與製造上逐漸獲得更多話語權。” ; B8 c# Z- \$ L" j, t
6 R j6 K [7 I" H5 R% S; Rtvb now,tvbnow,bttvb 據王鵬飛介紹，金屬－氧化物－半導體場效應晶體管（MOSFET）是目前集成電路中的主流器件，過去幾十年工藝的進步讓MOSFET晶體管的尺寸不斷縮小，越來越接近其物理極限，基於新結構和新原理的晶體管成為當前業界急需。半浮柵晶體管的前瞻研究就是在這種情況下展開。
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- j7 g! J8 \# N, D/ TTVBNOW 含有熱門話題，最新最快電視，軟體，遊戲，電影，動漫及日常生活及興趣交流等資訊。 他說，半浮柵晶體管是在MOSFET晶體管中內嵌一個廣泛用於低功耗電路的裝置——隧穿場效應晶體管（TFET）製成。半浮柵晶體管的優勢在於體積可更小，結構更簡單，讀寫速度更快，且一片這樣的晶體管的功效可比得上多塊MOSFET晶體管。 ! r' w5 ^4 ~* V0 A7 t
- {2 y2 W, b2 c" h' Ywww3.tvboxnow.com 據報道，半浮柵晶體管不但能應用於存儲器，還可應用於主動式圖像感測器芯片（APS），讓新型圖像感測器單元在面積上能縮小20%以上，並使圖像感測器的分辨率和靈敏度得到提升。 ) t: [9 [4 Y- P% z
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對於這項技術的產業化前景，王鵬飛說，新型器件往往還需要經過深入研究、性能優化等大量工作才能逐步實現產業化，目前針對這個器件的優化和電路設計工作已經開始。 |
發表於 2013-8-10 07:26 AM
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